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- 進口開關(guān)電源MOS管場效應(yīng)管 TK5A50D
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F
- ≥3000 個
  
  ￥1.30
- 詢價
- SMC品牌MOS管SMC5A50U
  
  品牌:SMC | 型號:SMC5A50U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥1000 個
  
  ￥0.10
- 詢價
- 貼片場效應(yīng)管 XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR
  
  品牌:TOREX/特瑞仕 | 型號:XP152A11E5MR-G XP152A11E5MR | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
- 100-2999 個
  
  ￥0.90
- ≥3000 個
  
  ￥0.72
- 詢價
- 專供 NCE4953AP-type, -30V5.3A, SOP-8封裝
  
  品牌:NCE(新潔能） | 型號:NCE4953A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥2500 千克
  
  ￥0.10
- 詢價
- 3415（替代AO3415） -20V -5.6A SOT-23 貼片 MOS管
  
  品牌:OGFD | 型號:3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥1 個
  
  ￥0.01
- 詢價
- AOS美國萬代AO4803A絕緣柵MOSFET
  
  品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-5A | 開啟電壓:-30 | 夾斷電壓:20
- 詢價
- UPA650TT-E1/P溝道耗盡型場效應(yīng)管MOSFET/-12V -5A/SOT-363/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA650TT-E1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-5A | 最大源漏電壓Vds:-12V | 最大耗散功率:0.2W
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 千克
  
  ￥0.40
- 詢價
- UPA1916TE/12V 4.5A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOS/開關(guān)/SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1916TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.95
- 詢價
- UPA1913TE/20V 4.5A/P溝道場效應(yīng)管MOSFET/開關(guān)/SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1913TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.90
- 詢價
- UPA1914TE/MOSFET P溝道 -30V -4.5A/開關(guān)/SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1914TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
- ≥3000 個
  
  ￥0.95
- 詢價
- UPA1912TE/12V 4.5A/P溝道場效應(yīng)管MOSFET/開關(guān)/SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1912TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.95
- 詢價
- UPA1911TE/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/開關(guān)/SOT-163/NEC
  
  品牌:NEC/日本電氣 | 型號:UPA1911TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.95
- 詢價
- TPC6103/12V 5.5A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6103 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.2W | 最大漏極電流ID:-5.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V
- ≥3000 個
  
  ￥0.90
- 詢價
- TPC6101/20V 4.5A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/TOSHIBA
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
- ≥3000 個
  
  ￥0.90
- 詢價
- SSM5G01TU/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET+肖特基二極管SBD/SOT-553
  
  品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5G01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:VID/視頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 肖特基二極管SBD參數(shù):Vrm=25V，Io=0.5A | 場效應(yīng)管MOSFET參數(shù):Vds=-30V，Id=-1A，Pd=0.5W
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：肖特基二極管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.58
- 詢價
- SI5435DC/30V 5.6A/開關(guān)/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/1206-8/威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI5435DC | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.5W | 最大漏極電流ID:-5.6A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管開關(guān)場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥1.20
- 詢價
- SI3495DV/20V 5.3A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3495DV | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥1.20
- 詢價
- SI3457CDV-T1-GE3/30V 5.1A/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3457CDV-T1-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 最大耗散功率PD:3W | 最大漏極電流ID:-5.1A | 最大源漏電壓VDSS:-30V
- ≥3000 個
  
  ￥0.85
- 詢價
- SI3447DV/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET -12V -5.2A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3447DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.75
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- SI3445DV/P溝道增強型場效應(yīng)管MOSFET -8V -5.6A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管 vishay場效應(yīng)管
- ≥3000 個
  
  ￥0.68
- 詢價