品牌:ON/安森美 | 型號:MMBT2907ALT1G MMBFJ310LT1G MMBT2222AM3T5G | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOT-23
品牌:ON/安森美 | 型號:MTD5N10E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1 個
￥0.60
品牌:ON/安森美 | 型號:NTHS2101PT1g | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.3W | 最大漏極電流ID:-5.4A | 最大源漏電壓VDSS:-8V
≥3000 個
￥0.85
品牌:ON/安森美 | 型號:NTJS4405NT1G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:5 | 針腳數:3 | 封裝:SOT-363
≥5 個
￥1.00
品牌:ON/安森美 | 型號:NZQA5V6XV5T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:14+ | 封裝:SOT-553
≥100 個
￥1.00