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品牌:MITSUBISHI/三菱 | 型號:FS5SM-16A | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:TO-3P

品牌:MagnaChip/美格納 | 型號:MDF18N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:18A | 開啟電壓:5V | 最大耗散功率:37W

品牌:美國IPS | 型號:ISA05N50A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FS10KM-12 FK10KM FL10KM FS5KM-18A FS7KM-12A FS10UM | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:SSP5N90A STP 5NA90 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:SMC | 型號:SMC5A50U | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3868，TO-220F，DIP/MOS，N場，500V，5A，1.7Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5F100K，TO-220，DIP/MOS，N場，1000V，5A，2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5F100K，TO-220，DIP/MOS，N場，1000V，5A，2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH5N90A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:FB52N15D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導:150 | 開啟電壓:150 | 夾斷電壓:150 | 低頻噪聲系數:25 | 極間電容:105 | 最大耗散功率:2

品牌:Mitsubishi/三菱 | 型號:FS5KM-16A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFR420A | 功率:5 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝:DIP | 批號:2013 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:KIA | 型號:KIA5N80HF，KIA，TO-220F，DIP/MOS，N場，800V，5A， | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:- | 跨導:- | 開啟電壓:- | 夾斷電壓:- | 低頻噪聲系數:- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1359 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:美格納 | 型號:MDF5N50TH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:6 | 跨導:0 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:100V | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:14A | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:7

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:BF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5A | 跨導:4.2S | 開啟電壓:2-4 | 夾斷電壓:530 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:75W

品牌:PJ/普羅強生 | 型號:5N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5A（mA） | 跨導:4.7S（μS） | 開啟電壓:2-4（V） | 夾斷電壓:680（V） | 低頻噪聲系數:1（dB） | 極間電容:1（pF） | 最大耗散功率:75W（mW）

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQD5N5CTM | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷