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品牌:STANSON | 型號:ST2304SRG | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 封裝:SOT-23

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQB5N50C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:廠家 直銷 | 型號:AO4606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N+P | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | -30V:5A | 30V:7A

品牌:Motorola/摩托羅拉 | 型號:MTD5N05 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:UF830 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SSH5N90A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:2SK719 2SK723 2SK724 2SK725 2SK735 2SK736 2SK752 2 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5A | 低頻噪聲系數:` | 極間電容:`

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:仙童分離式半導體 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRLZ24N IRLZ24NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:18 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:480

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF820PBF IRF820 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:2.5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:3ohm

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF520PBF IRF520 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:9.2A | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:270mohm

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:6 | 跨導:0 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 開啟電壓:100V | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:14A | 導電方式:增強型 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:7

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF530 IRF530N IRF530NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:17 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:920

品牌:NCE | 型號:NCE05N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 | 用途:NF/音頻(低頻) | 最大漏極電流:5 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:3720

品牌:ON/安森美 | 型號:NTJS4405NT1G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:5 | 針腳數:3 | 封裝:SOT-363

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRGP4063D | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D-G雙柵四極 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:96A | 跨導:63 | 開啟電壓:600 | 夾斷電壓:600 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:21 | 最大耗散功率:330W

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導:3 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:15A | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:3720 | 最大耗散功率:150

品牌:Magnachip | 型號:MDP5N50TH | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:SEMIHOW | 型號:HFS5N65S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道