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種類:場效應(yīng)管 | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3565

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK3565 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 材料:SIT靜電感應(yīng)

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3236 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 類型:其他IC | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D K5A50D | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPCF8101 | 功率:閘電荷@ Vgs 18nC @ 5V (Id) @ 25° C 6A | 用途:電腦 | 封裝:VSSOP8 | 批號:04+

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:驅(qū)動IC | 批號:12+原裝ROHS | 封裝:TO-220F

品牌:Toshiba/東芝 | 型號:2SK3868，TO-220F，DIP/MOS，N場，500V，5A，1.7Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:其他IC

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA | 型號:TK5A50D | 功率:200 | 用途:場效應(yīng)管 | 封裝:TO-220F | 批號:最新

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6103 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.2W | 最大漏極電流ID:-5.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6102 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TPC6101 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5H05TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5G01TU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:VID/視頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 肖特基二極管SBD參數(shù):Vrm=25V，Io=0.5A | 場效應(yīng)管MOSFET參數(shù):Vds=-30V，Id=-1A，Pd=0.5W

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:SSM5N15FE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.15W | 最大漏極電流ID:0.1A | 最大源漏電壓VDSS:30V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:3SK291 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:TV/電視 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流ID:0.03A | 最大源漏電壓VDSS:12.5V | 應(yīng)用范圍:放大

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK1359 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:A1388，2SA1388 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 擊穿電壓VCBO:100 | 封裝形式:TO-220F | 集電極最大允許電流ICM:5 | 截止頻率fT:150 | 應(yīng)用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK2837 | 用途:NF/音頻(低頻) | 最大漏極電流:5 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結(jié)型(JFET) | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:3720

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:2SK4107 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:NF/音頻(低頻) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):3 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:15A | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:3720 | 最大耗散功率:150

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK5A50D | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1