品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FS10KM-12 FK10KM FL10KM FS5KM-18A FS7KM-12A FS10UM | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵
10-99 個
￥1.20
100-499 個
￥0.85
≥500 個
￥0.52
品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5F100K，TO-220，DIP/MOS，N場，1000V，5A，2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:APT/上海二工 | 型號:APT5F100K，TO-220，DIP/MOS，N場，1000V，5A，2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
類型:其他IC | 品牌:AP | 型號:5020 | 封裝:sop8 | 批號:10+
≥1 PCS
￥1.00
品牌:APM/茂達 | 型號:APM4048ADU4，SOT-252，SMD/MOS，N+P場，40V/-40V，7.5A/-6A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):- | 最大漏極電流:7.5A/-6A | 類型:其他IC | 開啟電壓:2.5 | 夾斷電壓:20 | 低頻噪聲系數(shù):- | 極間電容:- | 最大耗散功率:25W
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF820PBF IRF820 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:2.5 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:3ohm
≥1 個
￥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF520PBF IRF520 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MAP/匹配對管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:9.2A | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:270mohm
≥1 個
￥0.10
類型:其他IC | 品牌:AP | 型號:8054 | 封裝:23-5 | 批號:10+
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFIB5N65APBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100 | 跨導(dǎo):100 | 開啟電壓:10 | 夾斷電壓:100 | 低頻噪聲系數(shù):100 | 極間電容:100 | 最大耗散功率:100
≥500 個
￥1.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFU430APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):10 | 開啟電壓:500 | 夾斷電壓:1000 | 低頻噪聲系數(shù):5 | 極間電容:4 | 最大耗散功率:110
≥1 個
￥0.10
品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRF830APBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 跨導(dǎo):10 | 開啟電壓:100 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數(shù):0.6 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:74
≥1 個
￥0.50