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類型:通信IC | 品牌:cirrus logic | 型號(hào):CS4954-CQZ | 電源電壓:5 | 功率:20 | 頻率:1 | 用途:電腦 | 封裝:QFP48 | 批號(hào):2013+ | N/A:N/A

品牌:APT/上海二工 | 型號(hào):APT5F100K，TO-220，DIP/MOS，N場(chǎng)，1000V，5A，2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NCE(新潔能） | 型號(hào):NCE1505S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:NCE(新潔能） | 型號(hào):NCE9435A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝

品牌:APT/上海二工 | 型號(hào):APT5F100K，TO-220，DIP/MOS，N場(chǎng)，1000V，5A，2.8Ω | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SSH5N90A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:AOS/美國(guó)萬(wàn)代 | 型號(hào):AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:-5A | 開(kāi)啟電壓:-30 | 夾斷電壓:20

品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):2SK719 2SK723 2SK724 2SK725 2SK735 2SK736 2SK752 2 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對(duì)管 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:5A | 低頻噪聲系數(shù):` | 極間電容:`

品牌:Zetex/捷特科 | 型號(hào):ZXMN7A11KTC | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:8.5W | 最大漏極電流ID:6.1A | 最大源漏電壓VDSS:70V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA650TT-E1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流Id:-5A | 最大源漏電壓Vds:-12V | 最大耗散功率:0.2W

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1916TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1913TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1914TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1912TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1911TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-2.5A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:NEC/日本電氣 | 型號(hào):UPA1900TE | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.2W | 最大漏極電流ID:5.5A | 最大源漏電壓VDSS:20V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC6103 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:2.2W | 最大漏極電流ID:-5.5A | 最大源漏電壓VDSS:-12V

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):TPC6102 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:-4.5A | 最大源漏電壓VDSS:-30V