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類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76137P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 30V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF1404ZPBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 產品類型:其他 | 應用范圍:功率

品牌:ST/意法 | 型號:STW75N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TOI-247 | 應用范圍:功率

品牌:其他 | 型號:場效應管 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW75N60H3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 類型:其他IC | 封裝形式:TO-247 | 應用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76132P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 30V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF75645P | 用途:DC/直流 | 100V:75A | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF75545P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 80V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:Semihow | 型號:HFS50N06 HFP35N75 HFS35N75 | 用途:TC/小型器件標志 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:NIKO | 型號:P75N02LDG | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TR

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807PBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 封裝形式:如圖 | 應用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB3507PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 功耗:190W | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 電壓:75V | 電流:97A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH10N60RUFDTU | 溝道類型:其他 | 封裝外形:平底形 | 功率:75W | 功率特性:大功率 | 反向恢復時間:42ns | 關斷速度:高頻(快速) | 極數:四極 | 額定正向平均電流:10 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 安裝類型:通孔 | 反向重復峰值電壓:600 | 控制極觸發電流:10 | 最大穩定工作電流:16 | 控制方式:反向 | 封裝材料:陶瓷封裝

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3808 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:75 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N06T4G | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:2012+ | 封裝:SOT-263

品牌:MOT，ST，ON | 型號:2N6488，2N6486，2N6487 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:75 | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:80 | 應用范圍:功率

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF4905 IR4905 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807 IR2807 | 功率:. | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:. | 批號:. | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

品牌:ROHM Semiconductor | 型號:RUE003N02TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:TUN/調諧 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:穩壓IC | 批號:2012 | 封裝:SC-75A