品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N03L09T4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥50 個
￥2.30
品牌:ON/安森美 | 型號:MTP75N03HDL | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥5 個
￥1.78
品牌:ON/安森美 | 型號:MTP75N06HD MTP75N06 MTP75N05 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥11 個
￥1.70
品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N06T4G | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:2012+ | 封裝:SOT-263
≥1 PCS
￥0.82
品牌:ON/安森美 | 型號:MTB75N03HDL | 種類:TO-263 | 溝道類型:TO-263 | 導電方式:TO-263
品牌:ON/安森美 | 型號:MTP75N05HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個
￥3.00
品牌:ON/安森美 | 型號:MGSF1N02LT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.4W | 最大漏極電流ID:0.75A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
￥0.50
品牌:ON/安森美 | 型號:MGSF1N02ELT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.4W | 最大漏極電流ID:0.75A | 最大源漏電壓VDSS:20V
≥3000 個
￥0.50