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品牌:IXY美國(guó)電報(bào)半導(dǎo)體 | 型號(hào):IXFT12N100Q | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 跨導(dǎo):標(biāo)準(zhǔn) | 開啟電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 夾斷電壓:標(biāo)準(zhǔn) | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)

品牌:IXY美國(guó)電報(bào)半導(dǎo)體 | 型號(hào):IXKH75N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道