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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76137P3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76137P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 30V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:NIKOS | 型號:P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:ISL9N303AP3 N303AP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝形式:TO220 | 應用范圍:變頻逆變

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76132P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 30V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF75645P | 用途:DC/直流 | 100V:75A | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF75545P | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 80V:75A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:75542P | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 80V:75A

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQA70N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NIKO | 型號:P75N02LDG | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:12+ | 封裝:TR

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FGH75N60UF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:SGH10N60RUFDTU | 溝道類型:其他 | 封裝外形:平底形 | 功率:75W | 功率特性:大功率 | 反向恢復時間:42ns | 關斷速度:高頻(快速) | 極數:四極 | 額定正向平均電流:10 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 安裝類型:通孔 | 反向重復峰值電壓:600 | 控制極觸發電流:10 | 最大穩定工作電流:16 | 控制方式:反向 | 封裝材料:陶瓷封裝

品牌:NIKO | 型號:P75N02LD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NIKO | 型號:P75N03LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:NIKO | 型號:P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:10+ | 封裝:TO-252

類型:其他IC | 品牌:NIKOS | 型號:P3055LDG，P3057LDG，P45N02LDG，P70N02LDG，P75N02LDG | 功率:. | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:sot252 | 最大漏極電流:12A | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:450

類型:其他IC | 品牌:NIKOS | 型號:P45N03L P50N03LDG P75N02LDG P55N03L | 功率:. | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:SOT252 | 最大漏極電流:36 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:.

品牌:NIKL | 型號:P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:75 | 跨導:1 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:MOS場效應管75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP75N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 產品類型:其他