品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IGW75N60T | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格
≥10000000 個(gè)
￥1.00
品牌:FUJI/富士通 | 型號(hào):1MBH75D-100P | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥10 個(gè)
￥7.00
品牌:新潔能 | 型號(hào):75N80 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:4 | 夾斷電壓:600
≥1000 個(gè)
￥1.55
品牌:RUICHIPS | 型號(hào):RU75N08R | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 開(kāi)啟電壓:3.2-4 | 夾斷電壓:1.5
≥100 個(gè)
￥1.60
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IDW75E60 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥1 個(gè)
￥1.00
品牌:新潔能 | 型號(hào):75N75 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:2 | 夾斷電壓:600
≥1000 個(gè)
￥1.85