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品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFS3207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP6679GH | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:L/功率放大，L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝，SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道，GE-N-FET鍺N溝道 | 電壓:-30V | 電流:-75A

品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD75N08T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:MOTOROLA/摩托羅拉 | 型號:MTP3N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 STP65NF06 IRF1010E IRF2807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH75D-100P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體

品牌:松木 | 型號:ME80N75A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ST/意法 | 型號:75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW75N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:70n06 75n06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:70 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準

類型:其他IC | 品牌:ST/意法 | 型號:STP160N75F3，160N75 | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:n | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP2907PBF | 用途:L/功率放大 | 最大漏極電流:177 | 跨導:12 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:75 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:120 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:0.8 | 極間電容:0.5 | 最大耗散功率:330

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IDW75E60 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:30 | 跨導:75 | 開啟電壓:200 | 夾斷電壓:500 | 低頻噪聲系數:11 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:214

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4710PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:75 | 跨導:12 | 開啟電壓:100 | 夾斷電壓:120 | 低頻噪聲系數:1.6 | 極間電容:1.2 | 最大耗散功率:200

品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 75N75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:A | 截止頻率fT:MHZ