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品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:HUF76137P3 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N03L09T4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP6679GH | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:L/功率放大，L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝，SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道，GE-N-FET鍺N溝道 | 電壓:-30V | 電流:-75A

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFU024N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP023NE7N3 G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:豪林 | 型號:B80N75T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:Semihow | 型號:HFS50N06 HFP35N75 HFS35N75 | 用途:TC/小型器件標志 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:ST/意法 | 型號:STB75NF75L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:UTC/友順 | 型號:UTC75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:國產新 | 型號:75N80 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NCE | 型號:NCE80H12 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:RUICHIPS | 型號:RU75N08 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF4905 IR4905 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUB75N08-10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:MTP75N05HD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:NIKOSEM | 型號:P75N02LDG | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:70n06 75n06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:70 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準

品牌:進口 | 型號:75N03 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n

品牌:進口 | 型號:75N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:150N55，160N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:* | 跨導:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*