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品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFS4710PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF1404ZPBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-220 | 產(chǎn)品類型:其他 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFS3207 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFP4368 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFU024N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF2807PBF | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 類型:其他IC | 封裝形式:如圖 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3507PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3507PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 功耗:190W | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 電壓:75V | 電流:97A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB3307ZPBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:230W | 電壓:75V | 電流:120A

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF2807PBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF2804PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-220

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF3808 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:75 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導(dǎo):1

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF4905 IR4905 | 用途:HI-IMP/高輸入阻抗 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF2807 IR2807 | 功率:. | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝:. | 批號(hào):. | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET)

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):AUIRL2203N | 功率:75A/116A/30V | 用途:UNI/一般用途 | 封裝:TO-220AB | 批號(hào):14+ | 封裝外形:TO-220AB | 種類:結(jié)型(JFET) | 供應(yīng)商類型:自主生產(chǎn)廠商

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRFB4710PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:10 | 跨導(dǎo):101010 | 開啟電壓:100 | 夾斷電壓:100 | 低頻噪聲系數(shù):10 | 極間電容:10 | 最大耗散功率:101

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):irf3207pbf | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:57 | 跨導(dǎo):75 | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:75 | 低頻噪聲系數(shù):57 | 極間電容:57 | 最大耗散功率:5757

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF2804PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:HG/高跨導(dǎo) | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:40 | 跨導(dǎo):40 | 開啟電壓:40 | 夾斷電壓:40 | 低頻噪聲系數(shù):40 | 極間電容:40 | 最大耗散功率:40

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):IRF2807PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:82000 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0

品牌:IR/國際整流器 | 型號(hào):irf1010e | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:75 | 低頻噪聲系數(shù):低 | 極間電容:標(biāo)準(zhǔn)