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品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IPP023NE7N3 G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:DC/直流 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW75N60H3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 類型:其他IC | 封裝形式:TO-247 | 應(yīng)用范圍:功率

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IGW75N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW75N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP75N | 溝道類型:其他 | 封裝外形:A | 關(guān)斷速度:A | 反向重復(fù)峰值電壓:. | 控制極觸發(fā)電流:. | 最大穩(wěn)定工作電流:. | 極數(shù):其他 | 額定正向平均電流:. | 控制方式:其他 | 封裝材料:SOT-223-3

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:F4-75R12KS4 | 控制方式:其他 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強型

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IDW75E60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:K75T60 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道