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- APEC/富鼎,AP6679GH，富鼎品牌場效應管APxxxx系列
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP6679GH | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導電方式:增強型，增強型 | 用途:L/功率放大，L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝，SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道，GE-N-FET鍺N溝道 | 電壓:-30V | 電流:-75A
- 1-9 個
  
  ￥1.40
- 10-9999 個
  
  ￥1.35
- ≥10000 個
  
  ￥1.20
- 詢價
- AP75N07GP
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP75N07GP | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:* | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大
- ≥1 PCS
  
  ￥1.00
- 詢價
- AP95T07GP
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP95T07GP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:80A | 低頻噪聲系數:75V | 極間電容:300W
- ≥10 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- AP95T07GP
  
  品牌:APEC臺灣富鼎 | 型號:AP95T07GP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:80A | 低頻噪聲系數:75V | 極間電容:To-220
- ≥10 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- AP75N07GP
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP75N07GP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:. | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥1 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- AP85T08GP
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP85T08GP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:80V 75A | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥1 個
  
  ￥1.00
- 詢價
- AP75T10GP
  
  品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP75T10GP | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:. | 跨導:. | 開啟電壓:100V 72A | 夾斷電壓:. | 低頻噪聲系數:. | 極間電容:. | 最大耗散功率:.
- ≥1 個
  
  ￥1.00
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