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品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFT12N100Q | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 極間電容:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFB4710 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:50 | 跨導:600 | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:130 | 低頻噪聲系數:8 | 極間電容:400 | 最大耗散功率:2

品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH75D-060S | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵