品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI) | 屬性:屬性值
≥5 個
￥7.50
種類:場效應管 | 品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15
≥10 PCS
￥23.00
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)
≥10 個
￥4.00
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXKN75N60C | 溝道類型:其他 | 極數:模塊 | 控制方式:模塊 | 封裝材料:模塊
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:8 | 擊穿電壓VCBO:800 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:17 | 極性:NPN型 | 截止頻率fT:8 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 應用范圍:放大
≥1 PCS
￥6.00
品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH50N20 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:UNI/一般用途 | 材料:P-FET硅P溝道
≥1 個
￥8.00