品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP4368 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷
≥50 個
￥15.50
品牌:SILAN/士蘭微 | 型號:SVD75N08T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
2000-9999 個
￥1.60
≥10000 個
￥1.44
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807PBF | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC
≥10 個
￥2.60
品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PSMN005-75B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥3000 個
￥0.16
品牌:ROHM Semiconductor | 型號:RUE003N02TL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:增強型 | 用途:TUN/調諧 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:穩壓IC | 批號:2012 | 封裝:SC-75A
≥100 片
￥1.25
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NS04Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
品牌:MICRONE松木 | 型號:ME75N80C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:新年份 | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-220
≥1 個
￥1.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:8M05 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5
≥50 個
￥0.01
品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PSMN009-100P | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:75 | 跨導:12 | 開啟電壓:100 | 夾斷電壓:130 | 低頻噪聲系數:15 | 極間電容:20 | 最大耗散功率:125
類型:其他IC | 品牌:PHILIPS/飛利浦 | 型號:PSMN005-75P | 用途:A/寬頻帶放大 | 最大漏極電流:75 | 跨導:12 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:75 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 夾斷電壓:80 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:15 | 極間電容:20 | 最大耗散功率:125
品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥1000 個
￥1.15