品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFS4710PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-99 個(gè)
￥8.00
≥100 個(gè)
￥7.30
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW75N06 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TOI-247 | 應(yīng)用范圍:功率
≥10 PCS
￥2.00
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP4368 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGAAS鋁鎵砷
≥50 個(gè)
￥15.50
品牌:NIKOS | 型號(hào):P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.16
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IKW75N60H3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 類型:其他IC | 封裝形式:TO-247 | 應(yīng)用范圍:功率
≥9600 個(gè)
￥16.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IGW75N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體 | 原廠規(guī)格:原廠規(guī)格
≥10000000 個(gè)
￥1.00
類型:其他IC | 品牌:Semihow | 型號(hào):HFS50N06 HFP35N75 HFS35N75 | 用途:TC/小型器件標(biāo)志 | 封裝外形:SP/特殊外形 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
1000-1999 個(gè)
￥0.56
2000-4999 個(gè)
￥0.55
≥5000 個(gè)
￥0.50
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQA70N10 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥10 個(gè)
￥1.50
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB3507PBF | 用途:A/寬頻帶放大 | 功耗:190W | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 電壓:75V | 電流:97A | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
≥50 個(gè)
￥2.80
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB3307ZPBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 功率:230W | 電壓:75V | 電流:120A
≥50 個(gè)
￥3.85
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SGH10N60RUFDTU | 溝道類型:其他 | 封裝外形:平底形 | 功率:75W | 功率特性:大功率 | 反向恢復(fù)時(shí)間:42ns | 關(guān)斷速度:高頻(快速) | 極數(shù):四極 | 額定正向平均電流:10 | 散熱功能:帶散熱片 | 頻率特性:超高頻 | 安裝類型:通孔 | 反向重復(fù)峰值電壓:600 | 控制極觸發(fā)電流:10 | 最大穩(wěn)定工作電流:16 | 控制方式:反向 | 封裝材料:陶瓷封裝
≥30 PCS
￥4.10
品牌:威士頓 | 型號(hào):WFB7N65N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-499 個(gè)
￥0.98
≥500 個(gè)
￥0.92
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF2804PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號(hào):12+ | 封裝:TO-220
品牌:NCE | 型號(hào):NCE75H11 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
￥0.01
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW160N75F3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物，MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 屬性:屬性值
≥5 個(gè)
￥0.10
品牌:NIKO | 型號(hào):P75N02LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號(hào):10+ | 封裝:TO-252
≥10 個(gè)
￥0.95
品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號(hào):2SA1298-Y 2SC4118-Y TA4019F TC75W55FU TC7W08FU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 備注:貼片 | 產(chǎn)品類型:其他 | 是否進(jìn)口:是
≥1 個(gè)
￥0.10
品牌:NCE(新潔能） | 型號(hào):NCE6075 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插
≥2500 個(gè)
￥0.01