品牌:ON/安森美 | 型號(hào):MTP75N06HD MTP75N06 MTP75N05 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥11 個(gè)
¥1.70
品牌:豪林 | 型號(hào):B80N75T | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 千克
¥1.40
品牌:豪林 | 型號(hào):P75N80C | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10000-99999 千克
¥1.25
100000-999999 千克
¥1.24
≥1000000 千克
¥1.23
品牌:威士頓 | 型號(hào):WFB7N65N | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
100-499 個(gè)
¥0.98
≥500 個(gè)
¥0.92
品牌:韓國(guó)飛虹FH | 型號(hào):FHP50N06 FHP70N80 FHP80N75 FHP80N70 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極
10000-49999 K
¥0.10
50000-99999 K
¥0.05
≥100000 K
¥0.03
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SUP75N08 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥3.00
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SUP75P03-08 | 種類(lèi):其他 | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥2.10
品牌:Vishay/威世通 | 型號(hào):SUB75N08-10 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1 個(gè)
¥2.80
品牌:ST/意法 | 型號(hào):STP75NF75 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個(gè)
¥1.80
類(lèi)型:其他IC | 品牌:NIKOS | 型號(hào):P45N03L P50N03LDG P75N02LDG P55N03L | 功率:. | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝:SOT252 | 最大漏極電流:36 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數(shù):.
≥10 個(gè)
¥0.50
品牌:AP | 型號(hào):AP85T03GH 85T03H 85T03GH AP70T03GH 60T03 | 種類(lèi):結(jié)型(JFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:75A | 開(kāi)啟電壓:30 | 夾斷電壓:30
≥100 個(gè)
¥0.80
品牌:SEMIHOW | 型號(hào):75N75 | 種類(lèi):絕緣柵(MOSFET) | 溝道類(lèi)型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:SIT靜電感應(yīng)
≥1000 個(gè)
¥0.01