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品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N03L09T4G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(SI) | 屬性:屬性值

品牌:ST/意法 | 型號:STB75NF75L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:英飛菱 | 型號:K75T60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

類型:其他IC | 品牌:NIKOS | 型號:P3055LDG，P3057LDG，P45N02LDG，P70N02LDG，P75N02LDG | 功率:. | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝:sot252 | 最大漏極電流:12A | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 低頻噪聲系數:450

品牌:Philips/飛利浦 | 型號:BUK7615-100A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:8M05 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 最大漏極電流:5 | 跨導:5 | 開啟電壓:5 | 夾斷電壓:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5 | 最大耗散功率:5