品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4406A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:13A | 開啟電壓:12V | 極間電容:910UF
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4803A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:5000 | 開啟電壓:20 | 夾斷電壓:30 | 極間電容:830 | 最大耗散功率:2000
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT470 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:* | 跨導:10.5 | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:+-25 | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:265
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXTK80N25 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢壘柵 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:250 | 夾斷電壓:80 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥100 個
¥1.00
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:2.9A | 開啟電壓:8V
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3422L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:2.1A | 開啟電壓:12V
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3407A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:4.3A | 開啟電壓:20V | 夾斷電壓:30V
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO6800 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 最大漏極電流:標準差數 | 跨導:標準差數 | 開啟電壓:標準差數 | 夾斷電壓:標準差數 | 低頻噪聲系數:標準差數 | 極間電容:標準差數 | 最大耗散功率:標準差數
≥1 個
¥0.20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:VA/場輸出級 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導:1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
≥3000 個
¥0.35
品牌:DIO美國二極管 | 型號:IPA50R250CP | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-TPBM/三相橋 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:SIT靜電感應 | 最大漏極電流:56 | 跨導:56 | 開啟電壓:12 | 夾斷電壓:35 | 低頻噪聲系數:56 | 極間電容:56 | 最大耗散功率:56
≥1 個
¥0.01
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
1-4999 個
¥0.60
≥5000 個
¥0.58
類型:穩壓IC | 品牌:AOS美國萬代 | 型號:AO8814 | 功率:0-100 | 封裝:TO/SO/SOT/SOP/ | 批號:12 13 14
≥10 個
¥0.15
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD606 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
1-4999 個
¥0.60
≥5000 個
¥0.58
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AON4421 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:8-SMD,扁平引線裸焊盤 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:美國IPS | 型號:ISD04N60A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個
¥1.20
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD408 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:HG/高跨導 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 產品性質:新品 | 營銷方式:現貨 | 處理信號:模擬信號
≥1 個
¥0.80
建議零售價:¥0.60 | 類型:穩壓IC | 品牌:AOS | 型號:AO6602 | 功率:123 | 用途:功放 | 封裝:SOT | 批號:14
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOD409 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
1-499 個
¥1.00
≥500 個
¥0.98
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRL3103 | 功率:25W | 用途:音響 | 封裝:TO-263 | 批號:13+ | 擊穿電壓VCBO:1 | 集電極最大允許電流ICM:1 | 截止頻率fT:1
≥100 PCS
¥1.00