品牌:Federick美國 | 型號:FGA25N120ANTDTU | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 個
¥3.00
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4430 4420貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC | 批號:2015+ | 封裝:SOP8
≥10 個
¥0.58
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4414 4414貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8
≥10 個
¥0.59
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4410 4410貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 深圳全新產品
≥10 個
¥0.59
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO4407A 4407A貼片 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:FM/調頻 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 功率:大 | 針腳數:8 | 封裝:SOP8 深圳全新產品
≥10 個
¥0.53
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3422L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
10-2999 個
¥1.00
3000-29999 個
¥0.45
≥30000 個
¥0.40
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3419 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
10-2999 個
¥0.03
3000-29999 個
¥0.02
≥30000 個
¥0.01
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3415 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
100-999 個
¥0.50
1000-2999 個
¥0.30
≥3000 個
¥0.22
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3434 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3423 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3403 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:影碟機 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3402 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AO3401 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:SOT23-3
品牌:NS/國半 | 型號:NDP603AL | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFI730G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFIBC30G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFBC30 | 跨導:* | 最大漏極電流:* | 開啟電壓:* | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 夾斷電壓:* | 低頻噪聲系數:* | 極間電容:* | 最大耗散功率:*
≥100 個
¥4.50