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- AOS AO4701
- ≥100 千克
  
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- IRFP3710 TO-247 MOSFET 大功率場(chǎng)效應(yīng)管美國(guó)IR 進(jìn)口
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP3710 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
- ≥50 個(gè)
  
  ￥6.20
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- 進(jìn)口仙童電子配件 FQPF5N60C 進(jìn)口
  
  品牌:Federick美國(guó) | 型號(hào):FQPF5N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:LLCC/無引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:200 | 低頻噪聲系數(shù):20 | 極間電容:2
- 1000-4999 個(gè)
  
  ￥1.45
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- 電源開關(guān),電源管,場(chǎng)效應(yīng)管,MOS管 IGBT 消特基
  
  品牌:DIO美國(guó)二極管 | 型號(hào):SBR30100CTFP | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:1 | 夾斷電壓:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1
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- 美國(guó)仙童FGH60N60SMD
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGH60N60SMD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 開啟電壓:3
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  ￥27.00
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- AOS萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管AOD486A
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD486A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:50A | 開啟電壓:20V | 夾斷電壓:40V
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- A03407 SOT-23
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3407 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.10
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- AOS萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管AOD413A
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD413A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:12A | 開啟電壓:20V | 夾斷電壓:40V
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- IRF1010EPBF IRF1010E 場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 MOSFET 美國(guó)IR
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF1010EPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):1 | 開啟電壓:55 | 夾斷電壓:85
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mosfet場(chǎng)效應(yīng)管
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.85
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- 38A 60V場(chǎng)效應(yīng)N溝道MOS管 D442 AOD442 強(qiáng)力美國(guó)萬代AO
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AOD442 AOD442L | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | .:.
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管萬代場(chǎng)效應(yīng)
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.10
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- 美國(guó)萬代AO3400A mos管進(jìn)口n溝道
  
  品牌:AOS美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO3400A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：萬代mos管 n溝道m(xù)os管
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- AO美國(guó)萬代系列場(chǎng)效應(yīng)MOS管 AO3409 P溝道型號(hào)繁多火熱
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AO3409 AO3413 AO3415 AO3418 AO3419 AO3420 AO3460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-P-FET鍺P溝道 | 最大漏極電流:2.6A | 開啟電壓:30 | 夾斷電壓:20
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：萬代場(chǎng)效應(yīng) 萬代mos管
- ≥10 個(gè)
  
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- 場(chǎng)效應(yīng)MOS管 QFN封裝美國(guó)萬代AOS AON7460
  
  品牌:ALPHA/阿爾法 | 型號(hào):AON7460 AON6426L AON4703 AON5800 AON5802 AON58 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:MAP/匹配對(duì)管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:` | 低頻噪聲系數(shù):` | 極間電容:`
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：萬代場(chǎng)效應(yīng) 萬代mos管
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  ￥10.00
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- 貼片場(chǎng)效應(yīng)MOS管 D444 AOD444 60V 12A進(jìn)口美國(guó)萬代
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD444 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 跨導(dǎo):100A | 最大漏極電流:12A | 極間電容:540
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.85
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- AOS萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管AOD452A
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD452A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
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- 電動(dòng)自行車變速器專用MOS管AOT428 T428 包新春電子
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOT428 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- 500-999 個(gè)
  
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- YB9435 SOP-8 P溝MOS 30V
  
  品牌:ETC美國(guó)電子晶體管 | 型號(hào):YB9435 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大漏極電流:- | 跨導(dǎo):- | 開啟電壓:- | 夾斷電壓:- | 低頻噪聲系數(shù):- | 極間電容:- | 最大耗散功率:-
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- 主推場(chǎng)效應(yīng)晶體管AOD417
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AOD417 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
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- AOS萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管AO4498L
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4498L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:18A | 開啟電壓:20V | 夾斷電壓:30V
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- AOS萬代場(chǎng)效應(yīng)管MOS管AO4485
  
  品牌:AOS/美國(guó)萬代 | 型號(hào):AO4485 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
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