品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:F4-75R12KS4 | 控制方式:其他 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型
≥10 個
¥68.00
品牌:SAN日本三舍 | 型號:DFA75BA160 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥10 個
¥68.00
品牌:FUJI/富士通 | 型號:2MBI75U4A120-50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
≥10 個
¥68.00
品牌:新潔能 | 型號:75N80 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導體 | 最大漏極電流:4 | 夾斷電壓:600
≥1000 個
¥1.55
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:75N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:5 | 低頻噪聲系數:5 | 極間電容:5
≥1000 個
¥0.45
品牌:ST/意法 | 型號:STP75NS04Z | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CHOP/斬波、限幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
品牌:MICRONE松木 | 型號:ME75N80C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:其他 | 導電方式:耗盡型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 批號:新年份 | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO-220
≥1 個
¥1.50
品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥0.45
品牌:MatsukiElec/松木 | 型號:ME75N80C | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道
≥100 個
¥1.33
品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXKH75N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-INM/獨立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥9.00
品牌:TRUESEMI | 型號:FQP75N08/TSP75N75M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:TRUESEMI | 型號:TSP75N75M | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型
品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUP75N05 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11 | 是否提供加工定制:否 | 封裝:TO220
≥1 PCS
¥0.10
品牌:進口 | 型號:75N03 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:n | 低頻噪聲系數:n | 極間電容:n
≥100 個
¥0.60
品牌:進口 | 型號:75N06 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:MW/微波 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥100 個
¥0.60
品牌:AOS/美國萬代 | 型號:AOT470 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:100A | 開啟電壓:25V | 夾斷電壓:75V
品牌:ST/意法 | 型號:P75NF75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1 個
¥0.47