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品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 類型:通信IC | 批號:12+ | 封裝:TO-220

品牌:福斯特 | 型號:FIR75N075 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:D/變頻換流 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:4521 | 跨導:75 | 開啟電壓:75 | 夾斷電壓:75 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:564 | 最大耗散功率:765

品牌:OGFD | 型號:80N08TR替代75N75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IXY美國電報半導體 | 型號:IXFT12N100Q | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 極間電容:標準

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IKW75N60T | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF2807PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:82000 | 低頻噪聲系數:0 | 極間電容:0

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75，P75NF75，75NF75，75N75 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MIX/混頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQP75N06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 產品類型:其他

品牌:CMOS | 型號:CMP50N03 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:75A

品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:BSP75N | 溝道類型:其他 | 封裝外形:A | 關斷速度:A | 反向重復峰值電壓:. | 控制極觸發電流:. | 最大穩定工作電流:. | 極數:其他 | 額定正向平均電流:. | 控制方式:其他 | 封裝材料:SOT-223-3

品牌:SemiHow | 型號:HFP75N75 | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:11+ | 封裝:TO-220

品牌:NIKOSEM | 型號:P75N02LDG | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:標準 | 跨導:標準 | 開啟電壓:標準 | 夾斷電壓:標準 | 低頻噪聲系數:標準 | 極間電容:標準 | 最大耗散功率:標準

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXKN75N60C | 溝道類型:其他 | 極數:模塊 | 控制方式:模塊 | 封裝材料:模塊

品牌:HARRIS/哈里斯 | 型號:70n06 75n06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 最大漏極電流:70 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準

品牌:IR/國際整流器 | 型號:irf1010e | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:75 | 低頻噪聲系數:低 | 極間電容:標準

類型:其他IC | 品牌:LS （英飛凌和LG合資） | 型號:LUH75G1201Z | 溝道類型:N溝道 | 種類:結型(JFET) | 導電方式:增強型

品牌:LS （英飛凌和LG合資） | 型號:LUH75G1203Z | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:LS （英飛凌和LG合資） | 型號:LEF75G602 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:APEC/富鼎 | 型號:AP75N07GP | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:* | 擊穿電壓VCBO:* | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大允許電流ICM:* | 極性:PNP型 | 截止頻率fT:* | 結構:點接觸型 | 封裝材料:塑料封裝 | 是否提供加工定制:是 | 應用范圍:放大