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品牌:ST/意法 | 型號:STB160N75F3 | 種類:TO-263 | 溝道類型:TO-263 | 導電方式:TO-263

類型:其他IC | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3808 | 用途:MW/微波 | 最大漏極電流:1 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 開啟電壓:75 | 材料:N-FET硅N溝道 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 夾斷電壓:1 | 導電方式:耗盡型 | 低頻噪聲系數:1 | 極間電容:1 | 最大耗散功率:1 | 低頻跨導:1

品牌:IXYS/艾賽斯 | 型號:IXTH75N15 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:硅(Si)

品牌:NIKO | 型號:P75N02LD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:NTB75N06T4G | 溝道類型:其他 | 類型:其他IC | 批號:2012+ | 封裝:SOT-263

品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PSMN005-75B | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:AM/調幅 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:Matsuki Elec日本松木電機 | 型號:ME80N75AT | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:V-FET/V型槽MOS | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道

品牌:ON/安森美 | 型號:MTB75N03HDL | 種類:TO-263 | 溝道類型:TO-263 | 導電方式:TO-263

品牌:NIKO | 型號:P75N03LDG | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:MOT，ST，ON | 型號:2N6488，2N6486，2N6487 | 溝道類型:其他 | 材料:硅(Si) | 集電極最大耗散功率PCM:75 | 封裝形式:TO-220 | 集電極最大允許電流ICM:15 | 極性:NPN型 | 結構:點接觸型 | 封裝材料:金屬封裝 | 加工定制:是 | 擊穿電壓VCEO:80 | 應用范圍:功率

品牌:韓國飛虹FH | 型號:FHP50N06 FHP70N80 FHP80N75 FHP80N70 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極

品牌:NCE | 型號:NCE75H11 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:SW-REG/開關電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 STP65NF06 IRF1010E IRF2807 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:ST/意法 | 型號:STP75NF75 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:RUICHIPS | 型號:RU75N08 | 種類:結型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道

品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:TK80E08K3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:日本松木 | 型號:ME75N80CD-G | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型

品牌:InterFET美國 | 型號:FDD6680 2SK1867 AOD438 2SK1880 2SK1861 75N02 2SK18 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:HI-REL/高可靠性 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:Vishay/威世通 | 型號:SUP75N08-09L | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:S/開關 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道