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參數資料
| 型號： | EP2S15F484C5N |
| 廠商： | Altera |
| 文件頁數： | 337/768頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC STRATIX II FPGA 15K 484-FBGA |
| 產品培訓模塊： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs |
| 標準包裝： | 20 |
| 系列： | Stratix® II |
| LAB/CLB數： | 780 |
| 邏輯元件/單元數： | 15600 |
| RAM 位總計： | 419328 |
| 輸入/輸出數： | 342 |
| 電源電壓： | 1.15 V ~ 1.25 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BBGA |
| 供應商設備封裝： | 484-FBGA（23x23） |
| 其它名稱： | 544-1876 EP2S15F484C5N-ND |
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Altera Corporation
3–5
January 2008
Stratix II Device Handbook, Volume 2
External Memory Interfaces in Stratix II and Stratix II GX Devices
to any of Stratix II and Stratix II GX I/O pins in the same bank as the DQ
pins of the FPGA. There is one DM pin per DQS/DQ group in a DDR or
DDR2 SDRAM device.
You can also use I/O pins in banks 1, 2, 5, or 6 to interface with DDR and
DDR2 SDRAM devices. These banks do not have dedicated circuitry,
though, and can only support DDR SDRAM at speeds up to 150 MHz and
DDR2 SDRAM at speeds up to 200 MHz. DDR2 SDRAM interfaces using
these banks are supported using the SSTL-18 Class I I/O standard.
f
For more information, see AN 327: Interfacing DDR SDRAM with
If the DDR or DDR2 SDRAM device supports error correction coding
(ECC), the design will use an extra DQS/DQ group for the ECC pins.
You can use any of the user I/O pins for commands and addresses to the
DDR and DDR2 SDRAM. You may need to generate these signals from
the system clock’s negative edge.
The clocks to the SDRAM device are called CK and CK# pins. Use any of
the user I/O pins via the DDR registers to generate the CK and CK#
signals to meet the DDR SDRAM or DDR2 SDRAM device’s tDQSS
requirement. The memory device’s tDQSS specification requires that the
write DQS signal’s positive edge must be within 25% of the positive edge
of the DDR SDRAM or DDR2 SDRAM clock input. Using regular I/O
pins for CK and CK# also ensures that any PVT variations on the DQS
signals are tracked the same way by these CK and CK# pins. Figure 3–2
shows a diagram that illustrates how to generate these clocks.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-4809SRWZ/H/B | CONV DC/DC 3W 18-72VIN 09VOUT |
| EPF10K40RC240-4 | IC FLEX 10K FPGA 40K 240-RQFP |
| TPSD227K006S0100 | CAP TANT 220UF 6.3V 10% 2917 |
| HAZ331MBABRBKR | CAP CER 330PF 1KV 20% RADIAL |
| NCP1086ST-33T3G | IC REG LDO 3.3V 1.5A SOT223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| EP2S15F484I4 | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 342 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| EP2S15F484I4N | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 342 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| EP2S15F672C3 | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 366 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| EP2S15F672C3N | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 366 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| EP2S15F672C4 | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 366 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
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