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參數資料
| 型號： | EP2S15F484C5N |
| 廠商： | Altera |
| 文件頁數： | 340/768頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC STRATIX II FPGA 15K 484-FBGA |
| 產品培訓模塊： | Three Reasons to Use FPGA's in Industrial Designs |
| 標準包裝： | 20 |
| 系列： | Stratix® II |
| LAB/CLB數： | 780 |
| 邏輯元件/單元數： | 15600 |
| RAM 位總計： | 419328 |
| 輸入/輸出數： | 342 |
| 電源電壓： | 1.15 V ~ 1.25 V |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 484-BBGA |
| 供應商設備封裝： | 484-FBGA（23x23） |
| 其它名稱： | 544-1876 EP2S15F484C5N-ND |
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3–8
Altera Corporation
Stratix II Device Handbook, Volume 2
January 2008
External Memory Standards
Figure 3–4. DQ and DQS Relationship During a DDR and DDR2 SDRAM Write
Notes (1), (2)
Notes to Figure 3–4:
(1)
This example shows a write for a burst length of four. DDR SDRAM also supports burst lengths of two.
(2)
The write clock signals never go to hi-Z state on RLDRAM II and QDRII SRAM memory interfaces because they use
free-running clocks. However, the general timing relationship between data and the read clock shown in this figure
still applies.
f
For more information on DDR SDRAM and DDR2 SDRAM
specifications, refer to JEDEC standard publications JESD79C and
JESD79-2, respectively, from www.jedec.org, or see AN 327: Interfacing
RLDRAM II
RLDRAM II provides fast random access as well as high bandwidth and
high density, making this memory technology ideal for high-speed
network and communication data storage applications. The fast random
access speeds in RLDRAM II devices make them a viable alternative to
SRAM devices at a lower cost. Additionally, RLDRAM II devices have
minimal latency to support designs that require fast response times.
Interface Pins
RLDRAM II devices use interface pins such as data, clock, command, and
address pins. There are two types of RLDRAM II memory: common I/O
(CIO) and separate I/O (SIO). The data pins in a RLDRAM II CIO device
are bidirectional while the data pins in a RLDRAM II SIO device are
unidirectional. Instead of bidirectional data strobes, RLDRAM II uses
differential free-running read and write clocks to accompany the data. As
in DDR or DDR2 SDRAM, data is sent and captured at twice the system
clock rate by transferring data on the clock’s positive and negative edge.
The commands and addresses still only use one active (positive) edge of
a clock.
If the data pins are bidirectional, as in RLDRAM II CIO devices, connect
them to Stratix II and Stratix II GX DQ pins. If the data pins are
unidirectional, as in RLDRAM II SIO devices, connect the RLDRAM II
device Q ports to the Stratix II and Stratix II GX device DQ pins and
DQS at
FPGA Pin
DQ at
FPGA Pin
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| REC3-4809SRWZ/H/B | CONV DC/DC 3W 18-72VIN 09VOUT |
| EPF10K40RC240-4 | IC FLEX 10K FPGA 40K 240-RQFP |
| TPSD227K006S0100 | CAP TANT 220UF 6.3V 10% 2917 |
| HAZ331MBABRBKR | CAP CER 330PF 1KV 20% RADIAL |
| NCP1086ST-33T3G | IC REG LDO 3.3V 1.5A SOT223 |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| EP2S15F672C3 | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 366 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| EP2S15F672C3N | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 366 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
| EP2S15F672C4 | 功能描述:FPGA - 現場可編程門陣列 FPGA - Stratix II 780 LABs 366 IOs RoHS:否 制造商:Altera Corporation 系列:Cyclone V E 柵極數量: 邏輯塊數量:943 內嵌式塊RAM - EBR:1956 kbit 輸入/輸出端數量:128 最大工作頻率:800 MHz 工作電源電壓:1.1 V 最大工作溫度:+ 70 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:FBGA-256 |
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